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InGaAs APD Modules

O le indium gallium arsenide avalanche photodiode module faʻatasi ai ma le taamilosaga muamua faʻamalosi e mafai ai ona faʻamalosia le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma liua i le faailo eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.

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E fa-quadrant APD

E aofia ai iunite tutusa e fa o le Si avalanche photodiode e maua ai le lagona maualuga mai le UV i le NIR.Ole maualuga ole galu ole tali ole 980nm.Tali: 40 A/W ile 1064 nm.

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E fa-quadrant APD modules

E aofia ai iunite tutusa e fa o le Si avalanche photodiode faatasi ai ma le taamilosaga muamua-faʻateleina lea e mafai ai ona faʻamalosia le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma faʻaliliuina i le eletise eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.

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850nm Si PIN modules

O le 850nm Si PIN photodiode module faʻatasi ai ma le faʻasalalauga muamua e mafai ai ona faʻamalosia le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma liliu i le faailo eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.

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900nm Si PIN photodiode

O le Si PIN photodiode o loʻo galue i lalo o le faʻaituau faʻaituau ma maua ai le lagona maualuga mai le UV i le NIR.Ole maualuga ole galu ole tali ole 930nm.

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1064nm Si PIN photodiode

O le Si PIN photodiode o loʻo galue i lalo o le faʻaituau faʻaituau ma maua ai le lagona maualuga mai le UV i le NIR.Ole maualuga ole galu ole tali ole 980nm.Tali: 0.3A/W ile 1064 nm.

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Fiber Si PIN modules

O le fa'ailo fa'apitoa e fa'aliliuina i le fa'ailo o lo'o iai nei e ala i le fa'auluina o le fiber optical.O le Si PIN module o loʻo faʻatasi ai ma le taamilosaga muamua faʻamalosi e mafai ai ona faʻateleina le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma liliu i le faʻailoga eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.

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E fa-quadrant Si PIN

E aofia ai iunite tutusa e fa o le Si PIN photodiode o loʻo faʻaogaina i lalo ma maua ai le lagona maualuga mai le UV i le NIR.Ole maualuga ole galu ole tali ole 980nm.Tali: 0.5 A/W ile 1064 nm.

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Fa-quadrant Si PIN modules

O lo'o aofia ai fa'atasi pe fa'aluaina fa'atasi fa'atasi o le Si PIN photodiode fa'atasi ai ma le ta'amilosaga muamua e mafai ai ona fa'ateleina le fa'ailo vaivai o lo'o iai nei ma fa'aliliuina i le fa'ailoga eletise e ausia ai le fa'agasologa o le fa'aliliuina o le photon-photoelectric-signal amplification.

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UV faʻaleleia Si PIN

O le Si PIN photodiode ma le faʻaleleia o le UV, lea e faʻaogaina i lalo ma maua ai le lagona maualuga mai le UV i le NIR.Ole maualuga ole galu ole tali ole 800nm.Tali: 0.15 A/W ile 340 nm.

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1064nm YAG Laser -15mJ-5

O se passively Q-sui Nd: YAG leisa ma 1064nm wavelength, ≥15mJ mana tumutumu, 1~5hz (fesoʻotaʻi) fua faatatau toe fai ma ≤8mrad divergence angle.E le gata i lea, o se laser laʻititi ma malamalama ma mafai ona ausia le maualuga o le malosi e mafai ona avea ma puna malamalama lelei o le mamao mamao mo nisi faʻaaliga e iai manaʻoga faʻapitoa mo le voluma ma le mamafa, e pei o le taua a le tagata lava ia ma le UAV e faʻaaoga i nisi faʻaaliga.

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1064nm YAG Laser-15mJ-20

O se Q-switched passively Nd: YAG leisa ma 1064nm wavelength, ≥15mJ mana maualuga ma ≤8mrad divergence angle.E le gata i lea, o se laʻititi laʻititi ma malamalama e mafai ona avea ma puna malamalama lelei o le mamao mamao e alu i le maualuga (20Hz).

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