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InGaAs APD Modules

InGaAs APD Modules

Fa'ata'ita'iga: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Fa'amatalaga Puupuu:

O le indium gallium arsenide avalanche photodiode module faʻatasi ai ma le taamilosaga muamua faʻamalosi e mafai ai ona faʻamalosia le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma liua i le faailo eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Fua Fa'atekinisi

Faailoga o oloa

Vaega

  • O le pito i luma ua fa'amalamalamaina le pu
  • Tali saosaoa maualuga
  • Ma'ale'ale maualuga ole detector

Talosaga

  • Fa'asao leisa
  • Fesootaiga leisa
  • Lapataiga leisa

Parakalafa ata eletise(@Ta=22±3℃

mea #

 

 

Vaega o afifi

 

 

Ole lautele ole mea fa'aata (mm)

 

 

Va'aiga tali fa'apitoa

(nm)

 

 

Malosiaga malepelepe

(V)

Talitonu

M=10

λ=1550nm

(kV/W)

 

 

 

 

Taimi tula'i

(ns)

Bandwidth

(MHz)

Temperature Coefficient

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Malosi e tutusa le pisa (pW/√Hz)

 

Concentricity(μm)

Suia ituaiga i isi atunuu

GD6510Y

 

 

TO-8

 

0.2

 

 

1000~1700

30–70

340

5

70

0.12

0.15

≤50

C3059-1550-R2A

GD6511Y

0.5

10

35

0.21

GD6512Y

0.08

2.3

150

0.11

C3059-1550-R08B


  • Muamua:
  • Sosoo ai: