InGaAs APD Modules

Fa'ata'ita'iga: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Fa'amatalaga Puupuu:

O le indium gallium arsenide avalanche photodiode module faʻatasi ai ma le taamilosaga muamua faʻamalosi e mafai ai ona faʻamalosia le faʻailoga vaivai o loʻo i ai nei ma liua i le faailo eletise e ausia ai le faagasologa o le liua o le photon-photoelectric-signal amplification.

maua se upusii La'u mai

Fua Fa'atekinisi

Faailoga o oloa

Vaega

O le pito i luma ua fa'amalamalamaina le pu
Tali saosaoa maualuga
Ma'ale'ale maualuga ole detector

Talosaga

Fa'asao leisa
Fesootaiga leisa
Lapataiga leisa

Parakalafa ata eletise(@Ta=22±3℃）

mea #	Vaega o afifi	Ole lautele ole mea fa'aata (mm)	Va'aiga tali fa'apitoa (nm)	Malosiaga malepelepe （V）	Talitonu M=10 λ=1550nm (kV/W)	Taimi tula'i （ns）	Bandwidth (MHz)	Temperature Coefficient T_a=-40℃～85℃ (V/℃)	Malosi e tutusa le pisa (pW/√Hz)	Concentricity(μm)	Suia ituaiga i isi atunuu
GD6510Y	TO-8	0.2	1000～1700	30–70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B